| |
KVSS-II 絕緣子污穢試驗、鹽霧試驗用污穢室、鹽霧室
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：DL/T 859-2015高壓交流系統(tǒng)用復(fù)合絕緣子人工污穢試驗
概述：
污穢試驗分為人工污穢試驗和自然污穢試驗。人工污穢試驗是用人工的方法對絕緣子進行染污，然后在人工霧室中施加一定的電壓所進行的試驗；自然污穢試驗是指絕緣子在自然環(huán)境下污染，用自然積污的絕緣子作試品所進行的試驗。自然污穢試驗的方式有兩種，一是將自然積污的絕緣子取回到人工霧室，人工制造受潮環(huán)境，測量其閃絡(luò)電壓或耐受電壓，二是在自然環(huán)境中長期經(jīng)受運行電壓考驗，測量其耐受的時間及閃絡(luò)次數(shù)。
為什么要進行污穢試驗？污穢試驗為耐污型絕緣子選型和絕緣子爬電距離計算提供了科學(xué)依據(jù)。在評價各種防污閃技術(shù)措施時，污穢試驗也是基本的檢測手段。因此，在防污閃工作中需要掌握污穢試驗技術(shù)。
?
功能特點：
- 等價性：應(yīng)當(dāng)盡可能接近模擬自然環(huán)境及運行條件，所得到的試驗結(jié)果與自然污穢試驗結(jié)果在優(yōu)劣次序上一致，并做到在給定條件下，能夠定量地預(yù)知被試絕緣子的實用性。
- 重復(fù)性和再現(xiàn)性：在一個試驗室進行多次重復(fù)試驗，分散性要小，在不同的試驗室所獲得的結(jié)果要相互接近。
- 簡便性：用比較簡單的設(shè)備，即能進行試驗。
系統(tǒng)組成：
- 人工霧室
- 試驗變壓器
- 調(diào)壓裝置
- 人工霧產(chǎn)生裝置
- 測量設(shè)備
試品布置：
- 絕緣子一般垂直安裝于霧室中。
- 模擬實際運行條件（如水平、傾斜、安裝金屬附件等）的安裝方式，可經(jīng)供需雙方協(xié)商確定。對特殊不在垂直安裝方式下試驗的絕緣子（如穿墻套管和電力斷路器的縱向絕緣），僅考慮運行中的安裝方式。
- 除絕緣子的支持物以及噴嘴柱外，絕緣子與任何接地物體之間的最小間距應(yīng)為每lOOkV試驗電壓不 小于0.5m,但至少為1.5m。支持結(jié)構(gòu)以及帶電金屬附件的布置，至少在絕緣子的最小間距內(nèi)模擬運行中的情況。
試驗電壓：
- 試驗電壓的頻率為45Hz?65Hz。
- 通常要求試驗電壓應(yīng)與絕緣子在正常運行條件下能耐受住的最高相電壓一致，該值為右。其中 %是設(shè)備的最大線電壓。當(dāng)對相對相配置或中性點絕緣的系統(tǒng)用絕緣子進行試驗時，試驗電壓可高于此值。
試驗程序A
- 本程序適用于帶電后污層濕潤，其污穢度通常用鹽密表示。
- 按5.3的規(guī)定將準(zhǔn)備好的試品置于霧室中。
- 應(yīng)使用蒸汽霧。霧發(fā)生器應(yīng)在試品的下面并盡可能地接近地面，在所有情況下，它離試品至少 Im,且霧的流動不應(yīng)直接朝向試品。
- 施加試驗電壓后供霧。在正常周圍溫度下，蒸汽霧的輸入速率應(yīng)在0.05 kg/ （h -m3） ±0.01kg/ （h -m3） 范圍內(nèi)，該值也可按IEC 60507:1991附錄D中D.4的方法檢驗。
- 試驗電壓應(yīng)維持至閃絡(luò)，否則應(yīng)從試驗開始維持lOOmin,或是直至其泄漏電流峰值持續(xù)下降至 最大峰值的70%O
- 對于本程序，污層僅能使用一次。
試驗程序B
- 本程序適用于帶電前和帶電期間污層濕潤，其污穢度通常用污層電導(dǎo)率來表達，也可以使用鹽 密表達。
- 啟動霧發(fā)生器時，按5.3的規(guī)定將準(zhǔn)備好的試品置于霧室中。推薦使用蒸汽霧來濕潤污層，也
- 可釆用冷霧或冷熱混合霧。
- 應(yīng)按5.4的規(guī)定測定被試品的污層電導(dǎo)。
- 在正常周圍溫度下，輸入霧室中霧的濃度和流動速度宜滿足在20min?90min （親水性20min??40min，憎水性90min左右，弱憎水性30min-50min）內(nèi)使試品污層電導(dǎo)率達到最大值。試驗 時測得的污層電導(dǎo)率的最大值作為基準(zhǔn)污層電導(dǎo)率。然后瞬時地或在不超過5s的時間內(nèi)對試 品加上試驗電壓并維持至閃絡(luò)，如不出現(xiàn)閃絡(luò)則維持15mino
- 同一污層的一個絕緣子只能進行一次試驗。
|
.jpg)
